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Osaka Vacuum TGkine4200MI-B 一體式耐腐蝕加熱磁懸浮渦輪分子泵

價(jià)格
¥1,199.00

型號(hào)
TGkin 4200MI-B

品牌
大阪真空

所在地
暫無

更新時(shí)間
2026-06-23 10:52:20

瀏覽次數(shù)

    image

    TGkine一體化分子泵外觀

    一、型號(hào)編碼釋義

    1. TGkine:大阪真空半導(dǎo)體大流量五軸磁懸浮分子泵旗艦系列,適配 300mm 晶圓高端腐蝕、薄膜量產(chǎn)設(shè)備

    2. 4200:60Hz 氮?dú)忸~定抽速 4200 L/s,全系頂配大流量機(jī)型,適配大腔室高氣體負(fù)載工藝

    3. M:五軸主動(dòng)磁懸浮軸承,轉(zhuǎn)子全程無機(jī)械接觸,無油高潔凈真空

    4. I:MI 耐腐蝕機(jī)型,搭載TMS 雙重恒溫隔熱自升溫系統(tǒng),抑制硅化物、鹵素反應(yīng)物冷凝堆積

    5. B:一體式集成驅(qū)動(dòng),控制器、電源單元內(nèi)置泵體底部,無需外置獨(dú)立控制柜,節(jié)省設(shè)備安裝空間


    二、六大核心專屬技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    1. TMS 隔熱自升溫系統(tǒng),大幅減少反應(yīng)物堆積

    區(qū)別傳統(tǒng)全域外加熱方案,雙重?zé)嵩磪f(xié)同控溫:利用轉(zhuǎn)子高速運(yùn)轉(zhuǎn)氣體摩擦余熱 + 低功率外部輔助加熱器,將氣路接觸區(qū)域穩(wěn)定維持 90℃恒溫;*抑制蝕刻、灰化工藝副產(chǎn)物冷凝附著,清洗維護(hù)周期延長(zhǎng) 2~3 倍,降低停機(jī)檢修頻次。

    • 低功耗加熱,外部加熱器功率大幅降低,整機(jī)更省電;

    • 定向隔熱結(jié)構(gòu),熱量?jī)H作用于介質(zhì)接觸面,避免高溫?fù)p傷周邊精密元器件。

    2. 一體式集成驅(qū)動(dòng),設(shè)備高度集成省空間

    控制器、電源單元直接集成泵體底部,無需單獨(dú)控制柜、連接線纜與機(jī)架安裝空間;設(shè)備布線工時(shí)降低 60%,*適配 PVD、刻蝕機(jī)內(nèi)部緊湊化布局,整機(jī)防護(hù)等級(jí) IP54,車間粉塵、水汽環(huán)境穩(wěn)定運(yùn)行。

    3. 五軸全磁懸浮無油架構(gòu),滿足 SEMI-S2 半導(dǎo)體潔凈標(biāo)準(zhǔn)

    轉(zhuǎn)子電磁懸浮無滾珠摩擦、無潤(rùn)滑油揮發(fā),腔體碳?xì)湮廴疚镖吔诹悖惠S承無物理磨損,7×24h 連續(xù)量產(chǎn)設(shè)計(jì)壽命達(dá) 20 萬小時(shí),可耐受鹵素、微量腐蝕性工藝氣體,適配 300mm 晶圓高潔凈制程。

    4. 大抽速高流量設(shè)計(jì),適配高工藝氣體負(fù)載

    全系支持大流量工藝氣體處理,*氮?dú)饬髁?2500~5000sccm、氬氣 1800~3000sccm;多級(jí)優(yōu)化復(fù)合渦輪轉(zhuǎn)子,氮?dú)鈮嚎s比* 1×10?,極限真空可達(dá)<2×10?? Pa,快速縮短腔體抽真空節(jié)拍,提升產(chǎn)線吞吐量。

    5. 泵體本地固態(tài)存儲(chǔ),運(yùn)維免重新

    機(jī)身內(nèi)置獨(dú)立存儲(chǔ)芯片,*留存運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)、啟停記錄、軸承振動(dòng)、故障日志;更換配件無需重新校準(zhǔn)設(shè)備參數(shù),完整保留設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù),大幅縮短停機(jī)維護(hù)工時(shí)。

    6. 全工業(yè)總線通訊,適配自動(dòng)化閉環(huán)產(chǎn)線

    標(biāo)配 RS232C、DI/DO 數(shù)字接口,可選 EtherCAT 工業(yè)以太網(wǎng)總線;內(nèi)置轉(zhuǎn)速、溫度、振動(dòng)多維監(jiān)測(cè)傳感器,實(shí)時(shí)預(yù)警軸承偏移、過熱故障;支持低速節(jié)能待機(jī)模式,降低產(chǎn)線空載功耗,無縫對(duì)接半導(dǎo)體上位控制系統(tǒng)。

    三、全系標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)流量規(guī)格

    表格

    型號(hào)氮?dú)獬樗伲?0Hz 無防護(hù)網(wǎng))標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)氣法蘭*氮?dú)饬髁?(sccm)
    TGkine1700MI-B1700 L/sISO200-F2500
    TGkine2200MI-B2200 L/sISO200-F2800
    TGkine3300MI-B3300 L/sISO200-F2800
    TGkine3400MI-B3400 L/sISO200-F5000
    TGkine3800MI-B3800 L/sVG3005000
    TGkine4200MI-B4200 L/sVG3505000

    統(tǒng)一基礎(chǔ)參數(shù):

    • 啟動(dòng)時(shí)長(zhǎng):≤10~12min;停機(jī)時(shí)長(zhǎng):≤10~14min

    • 允許前級(jí)壓力:100~110Pa

    • 冷卻方式:標(biāo)配風(fēng)冷,水冷可選

    • 合規(guī):CE、NRTL、SEMI-S2 國(guó)際半導(dǎo)體安全規(guī)范

    四、主流應(yīng)用行業(yè)場(chǎng)景

    1. 半導(dǎo)體刻蝕 / 灰化設(shè)備:干法蝕刻、等離子灰化、ALD/CVD 薄膜沉積(含鹵素、硅基粉塵腐蝕工藝,MI 加熱款核心適配場(chǎng)景);

    2. 300mm 晶圓量產(chǎn)設(shè)備:中型 / 大型 PVD、離子注入、晶圓檢測(cè)主抽真空腔體;

    3. FPD / 光伏鍍膜產(chǎn)線:大尺寸玻璃基板、光伏電池片濺射鍍膜機(jī);

    4. 特種工業(yè)真空裝備:離子鍍膜、腐蝕型真空熱處理、等離子清洗設(shè)備。

     

     

     

     

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